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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
68
Intorno -240% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
20
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
3234
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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