RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
68
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
42
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
2427
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link