RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
76
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
76
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
1260
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link