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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
68
76
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
76
读取速度,GB/s
3,973.0
10.3
写入速度,GB/s
1,944.9
6.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
1260
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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