RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
68
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
46
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
2660
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link