RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
68
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
2660
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link