RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
50
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
50
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3277
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link