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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
20.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
46
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
21
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
4230
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX3M4X2133C9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology 16GB
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