RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4230
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link