RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link