RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link