RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link