RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3510
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link