RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link