RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link