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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3711
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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