RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Kingston K821PJ-MID 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
46
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
41
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2338
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link