RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2664
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link