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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
5,535.6
15.0
写入速度,GB/s
1,852.4
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2664
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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