RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
50
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
32
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3167
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link