RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
50
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
34
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3404
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link