RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
56
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
56
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2414
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre DDR4-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link