RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2848
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link