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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
50
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
32
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2214
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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