RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
50
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
41
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2238
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link