RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Confronto
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
50
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
50
Velocità di lettura, GB/s
15.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
13.9
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3774
2424
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link