RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
50
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
2424
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link