RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3233
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link