RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2424
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link