RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2424
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link