RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2424
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link