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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Confronto
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
12.1
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1989
2163
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Confronto tra le RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
InnoDisk Corporation 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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