RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
87
Intorno -142% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
36
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2231
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link