RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
87
Intorno -211% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
28
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2932
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1280CL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link