RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
87
Около -211% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2932
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link