RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link