RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
87
Intorno -34% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
65
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1798
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link