RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
2496
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link