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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
8.5
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2496
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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