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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
87
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
30
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3279
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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