RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
87
Intorno -164% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
33
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3166
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link