RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
87
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
31
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2897
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Segnala un bug
×
Bug description
Source link