RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
81
87
Intorno -7% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
81
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1456
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link