RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
87
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
38
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2856
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link