RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
87
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2856
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link