RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
87
Intorno -263% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
24
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
4064
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link