RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
87
Intorno -263% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
24
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
4064
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link