RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
87
Intorno -211% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
28
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3104
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link