RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
29
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2708
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link