RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2708
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link