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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
87
Intorno -295% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
22
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
4014
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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