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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
20.2
写入速度,GB/s
870.4
17.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4014
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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