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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
87
Intorno -156% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
34
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2337
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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